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MTZJT-7710B图片1

MTZJT-7710B概述

MSD 9.655V 0.5W1/2W

Zener Diode 10V 500mW ±3% Through Hole MSD

得捷:
DIODE ZENER 10V 500MW MSD

MTZJT-7710B中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 10.0 V

容差 ±3 %

额定功率 500 mW

耗散功率 500 mW

稳压值 10 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AG

外形尺寸

封装 DO-204AG

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MTZJT-7710B

型号： MTZJT-7710B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MSD 9.655V 0.5W1/2W

替代型号MTZJT-7710B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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