MTZJT-7739B参数规格_中文资料_数据手册PDF

MTZJT-7739B概述

MSD 36.275V 0.5W1/2W

Zener Diode 39V 500mW ±3% Through Hole MSD

得捷:
DIODE ZENER 39V 500MW MSD

贸泽:
Zener Diodes 39V 5MA

安富利:
Diode Zener Single 36.275V 3% 500mW 2-Pin MSD Ammo

MTZJT-7739B中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 39.0 V

容差 ±3 %

额定功率 500 mW

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 36.275 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-204AG

外形尺寸

长度 2.7 mm

宽度 1.8 mm

高度 1.8 mm

封装 DO-204AG

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MTZJT-7739B

型号： MTZJT-7739B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MSD 36.275V 0.5W1/2W

替代型号MTZJT-7739B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MTZJT-7739B ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
MTZJT-7215B 罗姆半导体	类似代替	MTZJT-7739B和MTZJT-7215B的区别
MTZJT-7224B 罗姆半导体	类似代替	MTZJT-7739B和MTZJT-7224B的区别
MTZJT-725.1B 罗姆半导体	类似代替	MTZJT-7739B和MTZJT-725.1B的区别