MTZJT-7718B参数规格_中文资料_数据手册PDF

MTZJT-7718B概述

MSD 17.26V 0.5W1/2W

Zener Diode 18V 500mW ±3% Through Hole MSD

得捷:
DIODE ZENER 18V 500MW MSD

安富利:
Diode Zener Single 17.26V 3% 500mW 2-Pin MSD Ammo

MTZJT-7718B中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 18.0 V

容差 ±3 %

额定功率 500 mW

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 18 V

额定功率Max 500 mW

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-204AG

外形尺寸

封装 DO-204AG

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MTZJT-7718B

型号： MTZJT-7718B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MSD 17.26V 0.5W1/2W

替代型号MTZJT-7718B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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