MTZJT-7727B参数规格_中文资料_数据手册PDF

MTZJT-7727B概述

稳压二极管 Zener diode

Zener Diode 27V 500mW ±3% Through Hole MSD

得捷:
DIODE ZENER 27V 500MW MSD

贸泽:
稳压二极管 27V 5MA

安富利:
Diode Zener Single 25.615V 3% 500mW 2-Pin MSD Ammo

MTZJT-7727B中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 27.0 V

容差 ±3 %

额定功率 500 mW

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 27 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-34-2

外形尺寸

长度 2.7 mm

宽度 1.8 mm

高度 1.8 mm

封装 DO-34-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MTZJT-7727B

型号： MTZJT-7727B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：稳压二极管 Zener diode

替代型号MTZJT-7727B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MTZJT-7727B ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
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