MTZJT-7730B

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MTZJT-7730B概述

MSD 28.415V 0.5W1/2W

Zener Diode 30V 500mW ±3% Through Hole MSD


得捷:
DIODE ZENER 30V 500MW MSD


MTZJT-7730B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

容差 ±3 %

额定功率 500 mW

耗散功率 500 mW

稳压值 30 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AG

外形尺寸

封装 DO-204AG

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MTZJT-7730B
型号: MTZJT-7730B
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:MSD 28.415V 0.5W1/2W
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