MTZJT-773.9B参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

MTZJT-773.9B图片1

MTZJT-773.9B概述

MSD 4.025V 0.5W1/2W

Zener Diode 3.9 V 500 mW ±3% Through Hole MSD

得捷:
DIODE ZENER 3.9V 500MW MSD

MTZJT-773.9B中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 39.0 V

容差 ±3 %

额定功率 500 mW

耗散功率 500 mW

稳压值 3.9 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AG

外形尺寸

封装 DO-204AG

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MTZJT-773.9B

型号： MTZJT-773.9B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MSD 4.025V 0.5W1/2W

替代型号MTZJT-773.9B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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