MTZJT-775.6B参数规格_中文资料_数据手册PDF

MTZJT-775.6B概述

ROHM MTZJT-775.6B 单管二极管齐纳, 5.6 V, 500 mW, DO-34, 2 引脚, 175 °C

- 齐纳 5.6 V 500 mW ±3% 通孔 MSD

得捷:
DIODE ZENER 5.6V 500MW MSD

贸泽:
稳压二极管 5.6V 5MA

e络盟:
ROHM MTZJT-775.6B 单管二极管齐纳, 5.6 V, 500 mW, DO-34, 2 引脚, 175 °C

MTZJT-775.6B中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 5.60 V

容差 ±3 %

额定功率 500 mW

针脚数 2

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 5.6 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-34

外形尺寸

长度 2.7 mm

宽度 1.8 mm

高度 1.8 mm

封装 DO-34

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买MTZJT-775.6B

型号： MTZJT-775.6B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：ROHM MTZJT-775.6B 单管二极管齐纳, 5.6 V, 500 mW, DO-34, 2 引脚, 175 °C

替代型号MTZJT-775.6B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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