MTZJT-7733B

MTZJT-7733B图片1
MTZJT-7733B概述

稳压二极管 33V 5MA

Zener Diode 33V 500mW ±3% Through Hole MSD


得捷:
DIODE ZENER 33V 500MW MSD


贸泽:
稳压二极管 33V 5MA


MTZJT-7733B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 33.0 V

容差 ±3 %

额定功率 500 mW

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 33 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-34-2

外形尺寸

长度 2.7 mm

宽度 1.8 mm

高度 1.8 mm

封装 DO-34-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MTZJT-7733B
型号: MTZJT-7733B
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:稳压二极管 33V 5MA
替代型号MTZJT-7733B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MTZJT-7733B

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

MTZJT-7712B

罗姆半导体

功能相似

MTZJT-7733B和MTZJT-7712B的区别

MTZJT-7715B

罗姆半导体

功能相似

MTZJT-7733B和MTZJT-7715B的区别

MTZJT-7215B

罗姆半导体

功能相似

MTZJT-7733B和MTZJT-7215B的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司