MTZJT-777.5A参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

MTZJT-777.5A图片1

MTZJT-777.5A概述

DIODE ZENER 7.5V 0.5W1/2W MSD

- 齐纳 7.5 V 500 mW ±3% 通孔 MSD

得捷:
DIODE ZENER 7.5V 500MW MSD

MTZJT-777.5A中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 7.50 V

容差 ±3 %

额定功率 500 mW

耗散功率 500 mW

稳压值 7.5 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AG

外形尺寸

封装 DO-204AG

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MTZJT-777.5A

型号： MTZJT-777.5A

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：DIODE ZENER 7.5V 0.5W1/2W MSD

替代型号MTZJT-777.5A

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MTZJT-777.5A ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
MTZJT-727.5A 罗姆半导体	完全替代	MTZJT-777.5A和MTZJT-727.5A的区别
MTZJT-724.3A 罗姆半导体	类似代替	MTZJT-777.5A和MTZJT-724.3A的区别
MTZJT-773.3A 罗姆半导体	类似代替	MTZJT-777.5A和MTZJT-773.3A的区别