MTZJT-774.3B

MTZJT-774.3B图片1
MTZJT-774.3B概述

MSD 4.3V 0.5W1/2W

Zener Diode 4.3V 500mW ±3% Through Hole MSD


得捷:
DIODE ZENER 4.3V 500MW MSD


MTZJT-774.3B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 4.30 V

容差 ±3 %

额定功率 500 mW

耗散功率 500 mW

稳压值 4.3 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AG

外形尺寸

封装 DO-204AG

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MTZJT-774.3B
型号: MTZJT-774.3B
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:MSD 4.3V 0.5W1/2W
替代型号MTZJT-774.3B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MTZJT-774.3B

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

MTZJT-7215B

罗姆半导体

类似代替

MTZJT-774.3B和MTZJT-7215B的区别

MTZJT-725.1B

罗姆半导体

类似代替

MTZJT-774.3B和MTZJT-725.1B的区别

MTZJT-726.2B

罗姆半导体

类似代替

MTZJT-774.3B和MTZJT-726.2B的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台