MTZJT-776.2B

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MTZJT-776.2B概述

MSD 6.115V 0.5W1/2W

- 齐纳 6.2 V 500 mW ±3% 通孔 MSD


得捷:
DIODE ZENER 6.2V 500MW MSD


贸泽:
Zener Diodes 6.2V 5MA


安富利:
Diode Zener Single 6.115V 3% 500mW 2-Pin MSD Ammo


Chip1Stop:
Diode Zener Single 6.115V 3% 500mW 2-Pin MSD Ammo


MTZJT-776.2B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.20 V

容差 ±3 %

额定功率 500 mW

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 6.115 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-204AG

外形尺寸

长度 2.7 mm

宽度 1.8 mm

高度 1.8 mm

封装 DO-204AG

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买MTZJT-776.2B
型号: MTZJT-776.2B
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:MSD 6.115V 0.5W1/2W
替代型号MTZJT-776.2B
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