MTZJT-779.1C参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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MTZJT-779.1C概述

稳压二极管 9.1V 5MA

- 齐纳 9.1 V 500 mW ±3% 通孔 MSD

得捷:
DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD

贸泽:
稳压二极管 9.1V 5MA

安富利:
Diode Zener Single 8.79V 500mW 2-Pin DO-34

MTZJT-779.1C中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 9.10 V

容差 ±3 %

额定功率 500 mW

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 9.1 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-34-2

外形尺寸

封装 DO-34-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MTZJT-779.1C

型号： MTZJT-779.1C

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：稳压二极管 9.1V 5MA