MTZJT-726.2B参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

MTZJT-726.2B图片1

MTZJT-726.2B图片2

MTZJT-726.2B图片3

MTZJT-726.2B图片4

MTZJT-726.2B概述

MSD 6.115V 0.5W1/2W

- 齐纳 6.2 V 500 mW ±3% 通孔 MSD

得捷:
DIODE ZENER 6.2V 500MW MSD

MTZJT-726.2B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±3 %

耗散功率 500 mW

稳压值 6.2 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AG

外形尺寸

封装 DO-204AG

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MTZJT-726.2B

型号： MTZJT-726.2B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MSD 6.115V 0.5W1/2W

替代型号MTZJT-726.2B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MTZJT-726.2B ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
MTZJT-725.6B 罗姆半导体	类似代替	MTZJT-726.2B和MTZJT-725.6B的区别
MTZJT-7215B 罗姆半导体	类似代替	MTZJT-726.2B和MTZJT-7215B的区别
MTZJT-7224B 罗姆半导体	类似代替	MTZJT-726.2B和MTZJT-7224B的区别