MTZJT-773.3B

MTZJT-773.3B图片1
MTZJT-773.3B概述

稳压二极管 Diode Zener Single 3% 500mW 2-Pin MSD Ammo

- 齐纳 ±3% 通孔 MSD


得捷:
DIODE ZENER 3.3V 500MW MSD


MTZJT-773.3B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 33.0 V

容差 ±3 %

额定功率 500 mW

耗散功率 500 mW

稳压值 3.3 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-34-2

外形尺寸

封装 DO-34-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MTZJT-773.3B
型号: MTZJT-773.3B
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:稳压二极管 Diode Zener Single 3% 500mW 2-Pin MSD Ammo
替代型号MTZJT-773.3B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MTZJT-773.3B

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

NZX3V3B,133

恩智浦

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MTZJT-773.3B和NZX3V3B,133的区别

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