MTZJT-729.1B参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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MTZJT-729.1B概述

稳压二极管 DIODE ZENER SNGL 8.79V 3% 500MW 2PIN

Zener Diode 9.1V 500mW ±3% Through Hole MSD

得捷:
DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD

贸泽:
稳压二极管 DIODE ZENER SNGL 8.79V 3% 500MW 2PIN

Win Source:
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO34

MTZJT-729.1B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±3 %

耗散功率 500 mW

稳压值 9.1 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-34-2

外形尺寸

长度 2.7 mm

封装 DO-34-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MTZJT-729.1B

型号： MTZJT-729.1B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：稳压二极管 DIODE ZENER SNGL 8.79V 3% 500MW 2PIN

替代型号MTZJT-729.1B

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MTZJT-729.1B

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

NZX9V1B,133

恩智浦

功能相似

MTZJT-729.1B和NZX9V1B,133的区别