MMBT2222A-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBT2222A-G概述

射频RF双极晶体管 VCEO=40V IC=600mA

Features

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for Switching and amplifier application.

得捷:
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3

贸泽:
射频RF双极晶体管 VCEO=40V IC=600mA

艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R

MMBT2222A-G中文资料参数规格

技术参数

频率 300 MHz

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 40

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMBT2222A-G

型号： MMBT2222A-G

制造商： Comchip Technology 上华科技

描述：射频RF双极晶体管 VCEO=40V IC=600mA