MJD32CTF_NBDD002

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MJD32CTF_NBDD002中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 1560 mW

增益频宽积 3 MHz

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V

最大电流放大倍数hFE 50

额定功率Max 1.56 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD32CTF_NBDD002
型号: MJD32CTF_NBDD002
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans GP BJT PNP 100V 3A 3Pin 2+Tab DPAK T/R
替代型号MJD32CTF_NBDD002
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD32CTF_NBDD002

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