MPSA06T93

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MPSA06T93概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT DRVR NPN 80V .5A

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 500mA 100MHz 350mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS NPN 80V 0.5A TO92-3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT DRVR NPN 80V .5A


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R


MPSA06T93中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.8 mm

宽度 3.7 mm

高度 4.8 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MPSA06T93
型号: MPSA06T93
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT DRVR NPN 80V .5A
替代型号MPSA06T93
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MPSA06T93

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

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