MMBT2222LT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBT2222LT1概述

通用晶体管 General Purpose Transistors

- 双极 BJT - 单

得捷:
TRANS NPN 30V 600MA SOT23

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R

MMBT2222LT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 600 mA

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： MMBT2222LT1

描述：通用晶体管 General Purpose Transistors

替代型号MMBT2222LT1