MJ4032参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJ4032概述

PNP Darlington Power

Bipolar BJT Transistor PNP - Darlington 100V 16A 150W Chassis Mount TO-3

得捷:
TRANS PNP DARL 100V 16A TO3

贸泽:
Darlington Transistors PNP Darlington Power

MJ4032中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -16.0 A

极性 PNP

耗散功率 150 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @10A, 3V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-3

外形尺寸

长度 39.5 mm

宽度 26.2 mm

高度 8.7 mm

封装 TO-3

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MJ4032

型号： MJ4032

描述：PNP Darlington Power

替代型号MJ4032

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MJ4032 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
MJ11033G 安森美	功能相似	MJ4032和MJ11033G的区别
MJ11015G 安森美	功能相似	MJ4032和MJ11015G的区别
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