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MMBT3906WT1概述

通用晶体管 General Purpose Transistors

- 双极 BJT - 单

得捷:
TRANS SS GP PNP 40V SOT323

MMBT3906WT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -200 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBT3906WT1

型号： MMBT3906WT1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：通用晶体管 General Purpose Transistors

替代型号MMBT3906WT1

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代替类型

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MMBT3906WT1

ON Semiconductor 安森美

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