MPSA43,116概述
SPT NPN 200V 0.1A
Bipolar BJT Transistor NPN 200V 100mA 50MHz 500mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 200V 0.1A TO92-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE RADIAL
MPSA43,116中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 500 mW
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 25 @1mA, 10V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.8 mm
宽度 4.2 mm
高度 5.2 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free