MPSA27RLRA参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPSA27RLRA概述

达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistor NPN Silicon

Bipolar BJT Transistor

得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R

Win Source:
TRANS NPN DARL 60V 0.5A TO92

MPSA27RLRA中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 625 mW

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MPSA27RLRA

型号： MPSA27RLRA

描述：达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistor NPN Silicon

替代型号MPSA27RLRA

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MPSA27RLRA ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MPSA27G 安森美	完全替代	MPSA27RLRA和MPSA27G的区别
MPSA27 安森美	类似代替	MPSA27RLRA和MPSA27的区别
MPSA27RLRM 安森美	类似代替	MPSA27RLRA和MPSA27RLRM的区别