达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon
- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 30 V 500 mA 125MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）
得捷:
TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO92
贸泽:
Darlington Transistors 500mA 30V NPN
Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 30V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Verical:
Trans Darlington NPN 30V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
额定电压DC 30.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPSA13RLRA ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
KSP13TA 飞兆/仙童 | 功能相似 | MPSA13RLRA和KSP13TA的区别 |
MPSA13-AP 美微科 | 功能相似 | MPSA13RLRA和MPSA13-AP的区别 |