MMBT5550LT1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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MMBT5550LT1概述

高电压晶体管 High Voltage Transistors

- 双极 BJT - 单

得捷:
TRANS SS NPN 140V HV SOT23

MMBT5550LT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 140 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 140 V

集电极最大允许电流 0.06A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

额定功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBT5550LT1

型号： MMBT5550LT1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：高电压晶体管 High Voltage Transistors

替代型号MMBT5550LT1

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