放大器晶体管电压和电流是负的PNP晶体管 Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors
Bipolar BJT Transistor NPN 60V 500mA 150MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 60V 0.5A TO92
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Win Source:
TRANS NPN 60V 0.5A TO92
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPS8098RLRA ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N4400 NTE Electronics | 类似代替 | MPS8098RLRA和2N4400的区别 |
2N4400LEADFREE Central Semiconductor | 功能相似 | MPS8098RLRA和2N4400LEADFREE的区别 |
MPS8098 Continental Device | 功能相似 | MPS8098RLRA和MPS8098的区别 |