大电流互补硅晶体管 High-Current Complementary Silicon Transistors
MJ11015 PNP
MJ11012, NPN
30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 −120 VOLTS, 200 WATTS
. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
•High DC Current Gain hFE= 1000 Min @ IC −20 Adc
•Monolithic Construction with Built−in Base Emitter Shunt Resistor
•Junction Temperature to +200C
得捷:
TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
艾睿:
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
额定电压DC 120 V
额定电流 30.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 200000 mW
击穿电压集电极-发射极 120 V
集电极最大允许电流 30A
最小电流放大倍数hFE 1000 @20A, 5V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 4MHz Min
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
封装 TO-3
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
最小包装 100
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MJ11016 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJ11016G 安森美 | 功能相似 | MJ11016和MJ11016G的区别 |