MJ11016

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MJ11016概述

大电流互补硅晶体管 High-Current Complementary Silicon Transistors

MJ11015 PNP

MJ11012, NPN

30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 −120 VOLTS, 200 WATTS

. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

•High DC Current Gain hFE= 1000 Min @ IC −20 Adc

•Monolithic Construction with Built−in Base Emitter Shunt Resistor

•Junction Temperature to +200C


得捷:
TRANS NPN DARL 120V 30A TO204


艾睿:
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


MJ11016中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 120 V

额定电流 30.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 200000 mW

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 30A

最小电流放大倍数hFE 1000 @20A, 5V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 4MHz Min

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

最小包装 100

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJ11016
型号: MJ11016
描述:大电流互补硅晶体管 High-Current Complementary Silicon Transistors
替代型号MJ11016
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