MMBT8099LT1

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MMBT8099LT1概述

放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistor NPN Silicon

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 500mA 150MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236


得捷:
TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


MMBT8099LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMBT8099LT1
型号: MMBT8099LT1
描述:放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistor NPN Silicon
替代型号MMBT8099LT1
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MMBT8099LT1

ON Semiconductor 安森美

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完全替代

MMBT8099LT1和MMBT8099LT1G的区别

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