MJE5851

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MJE5851概述

8安培PCP硅功率晶体管300 - 350 - 400伏80瓦 8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS

- 双极 BJT - 单 PNP 350 V 8 A - 80 W 通孔 TO-220


得捷:
TRANS PNP 350V 8A TO220


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 8A 350V 80W PNP


MJE5851中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -350 V

额定电流 -8.00 A

极性 PNP

耗散功率 80 W

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 5 @5A, 5V

额定功率Max 80 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.82 mm

高度 9.28 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

最小包装 50

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJE5851
型号: MJE5851
描述:8安培PCP硅功率晶体管300 - 350 - 400伏80瓦 8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS
替代型号MJE5851
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJE5851

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MJE5851G

安森美

完全替代

MJE5851和MJE5851G的区别

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