MJD122T4参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJD122T4概述

互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistor

- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 100 V 8 A 4MHz 20 W 表面贴装型 DPAK

得捷:
TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK

贸泽:
达林顿晶体管 8A 100V Bipolar

艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

MJD122T4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 8.00 A

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @4A, 4V

额定功率Max 1.75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 4MHz Min

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJD122T4引脚图与封装图

在线购买MJD122T4

型号： MJD122T4

描述：互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistor

替代型号MJD122T4