MJD350T4参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJD350T4概述

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3Pin2+Tab DPAK T/R

Bipolar BJT Transistor PNP 300V 500mA 15W Surface Mount DPAK

得捷:
TRANS PWR PNP 0.5A 300V DPAK

MJD350T4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -300 V

额定电流 -500 mA

极性 Dual P-Channel

耗散功率 15.0 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V

额定功率Max 1.56 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： MJD350T4

描述：Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3Pin2+Tab DPAK T/R

替代型号MJD350T4