MJD200T4

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MJD200T4概述

互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS, 12.5 WATTS

MJD200 NPN

MJD210 PNP

NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications

Designed for low voltage, low−power, high−gain audio amplifier applications.

Features

•Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEOsus= 25 Vdc Min @ IC= 10 mAdc

•High DC Current Gain − hFE = 70 Min @ IC= 500 mAdc

                                                            =  45 Min @ IC= 2 Adc

                                                             = 10 Min @ IC= 5 Adc

•Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves

No Suffix

•Low Collector−Emitter Saturation Voltage −VCEsat= 0.3 Vdc Max @ IC= 500 mAdc

                                                                    = 0.75 Vdc Max @ IC= 2.0 Adc

•High Current−Gain − Bandwidth Product −fT= 65 MHz Min @ IC= 100 mAdc

•Annular Construction for Low Leakage −ICBO= 100 nAdc @ Rated VCB

•Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

•ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V Machine Model, C 400 V

•Pb−Free Packages are Available

MJD200T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 5.00 A

极性 NPN

耗散功率 12.5 W

增益频宽积 65 MHz

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V

额定功率Max 1.4 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD200T4
型号: MJD200T4
描述:互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors
替代型号MJD200T4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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