MMBT2132T3参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBT2132T3概述

通用晶体管 General Purpose Transistors

Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 700 mA - 342 mW Surface Mount SC-74

得捷:
TRANS NPN 30V 0.7A SC74

MMBT2132T3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 700 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.7A

最小电流放大倍数hFE 150 @100mA, 3V

额定功率Max 342 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMBT2132T3

型号： MMBT2132T3

描述：通用晶体管 General Purpose Transistors

替代型号MMBT2132T3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MMBT2132T3

ON Semiconductor 安森美

当前型号

MMBT2132T3G

安森美

完全替代

MMBT2132T1

安森美

类似代替