




硅功率晶体管 Silicon Power Transistors
MJW21195 PNP
NPN
The MJW21195 and MJW21196 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.
Features
•Total Harmonic Distortion Characterized
•High DC Current Gain −hFE= 20 Min @ IC= 8 Adc
•Excellent Gain Linearity
•High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second
•Pb−Free Packages are Available额定电压DC 250 V
额定电流 16.0 A
极性 NPN
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 16A
最小电流放大倍数hFE 20 @8A, 5V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.08 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJW21196 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJW21196G 安森美 | 完全替代 | MJW21196和MJW21196G的区别 |