MJD2955T4参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJD2955T4概述

互补功率晶体管DPAK对于表面贴装应用 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

- 双极 BJT - 单 PNP 60 V 10 A 2MHz 20 W 表面贴装型 DPAK

得捷:
TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK

Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin 2+Tab DPAK T/R

MJD2955T4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -10.0 A

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V

额定功率Max 1.75 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD2955T4

型号： MJD2955T4

描述：互补功率晶体管DPAK对于表面贴装应用 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

替代型号MJD2955T4

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MJD2955T4

ON Semiconductor 安森美

当前型号

MJD2955T4G

安森美

完全替代

MJD2955TF

飞兆/仙童

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