MJE18002参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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MJE18002概述

功率晶体管 POWER TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 450V 2A 13MHz 50W Through Hole TO-220

得捷:
TRANS NPN 450V 2A TO220

MJE18002中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 450 V

额定电流 2.00 A

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 50.0 W

击穿电压集电极-发射极 450 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 14 @200mA, 5V

额定功率Max 50 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJE18002

型号： MJE18002

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：功率晶体管 POWER TRANSISTOR

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MJE18002

ON Semiconductor 安森美

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