MJ15001

MJ15001图片1
MJ15001图片2
MJ15001图片3
MJ15001图片4
MJ15001概述

功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

Complementary Silicon Power Transistors

The and MJ15002 are EpiBase™ power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications.

Features

• High Safe Operating Area 100% Tested − 5.0 A @ 40 V

                                                           0.5 A @ 100 V

• For Low Distortion Complementary Designs

• High DC Current Gain − hFE = 25 Min @ IC = 4 Adc

• Pb−Free Packages are Available
.
MJ15001中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 140 V

额定电流 15.0 A

击穿电压集电极-发射极 140 V

最小电流放大倍数hFE 25 @4A, 2V

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MJ15001
型号: MJ15001
描述:功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
替代型号MJ15001
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJ15001

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MJ15001G

安森美

功能相似

MJ15001和MJ15001G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台