MJD117参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJD117概述

互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors

- 双极 BJT - 单 PNP - 达林顿 25MHz 表面贴装型 DPAK

得捷:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

贸泽:
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar

艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK Tube

MJD117中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -2.00 A

极性 PNP

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V

最大电流放大倍数hFE 12000

额定功率Max 1.75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

增益带宽 25MHz Min

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

最小包装 2500

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MJD117

型号： MJD117

描述：互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors

替代型号MJD117