MJD50

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MJD50概述

高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors

High Voltage Power Transistors

DPAK for Surface Mount Applications

Designed for line operated audio output amplifier, switchmode supply drivers and other switching applications.

Features

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves No Suffix

• Electrically Similar to Popular TIP47, and TIP50

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

MJD50中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 150

额定功率Max 1.56 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

最小包装 2500

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: MJD50
描述:高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors
替代型号MJD50
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MJD50

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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MJD50T4G

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MJD50和MJD50T4G的区别

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