通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon
Bipolar BJT Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 60V 0.6A TO92
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 600mA 60V PNP
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -600 mA
极性 PNP
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPS2907ARLRP ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPS2907ARLRA 安森美 | 完全替代 | MPS2907ARLRP和MPS2907ARLRA的区别 |
KSP2907ATA 安森美 | 类似代替 | MPS2907ARLRP和KSP2907ATA的区别 |
KSP2907ABU 安森美 | 类似代替 | MPS2907ARLRP和KSP2907ABU的区别 |