MMBT6589T1G

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MMBT6589T1G概述

高电流表面贴装PNP硅开关晶体管的开关晶体管,用于便携式应用 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Switching Transistor for Portable Applications

High Current Surface Mount PNP Silicon

Switching Transistor for Load Management in Portable Applications

Features

• Pb−Free Package is Available


得捷:
TRANS PNP 30V 1A TSOP-6


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 6-Pin TSOP T/R


Win Source:
High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Switching Transistor for Portable Applications


MMBT6589T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V

额定功率Max 540 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMBT6589T1G
型号: MMBT6589T1G
描述:高电流表面贴装PNP硅开关晶体管的开关晶体管,用于便携式应用 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Switching Transistor for Portable Applications

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