MMBTA43LT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBTA43LT1概述

高压晶体管（ NPN硅） High Voltage TransistorsNPN Silicon

Trans GP BJT NPN 200V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R

得捷:
TRANS NPN 200V 0.05A SOT-23

Win Source:
TRANS NPN 200V 0.05A SOT-23

MMBTA43LT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 200 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V

额定功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMBTA43LT1

型号： MMBTA43LT1

描述：高压晶体管（ NPN硅） High Voltage TransistorsNPN Silicon

替代型号MMBTA43LT1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MMBTA43LT1 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MMBTA43LT1G 安森美	类似代替	MMBTA43LT1和MMBTA43LT1G的区别
MMBTA43LT3 安森美	类似代替	MMBTA43LT1和MMBTA43LT3的区别
MMBTA43-TP 美微科	功能相似	MMBTA43LT1和MMBTA43-TP的区别