MPS6523G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPS6523G概述

放大器晶体管 Amplifier Transistors

- 双极 BJT - 单 PNP 25 V 100 mA - 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）

得捷:
TRANS PNP 25V 0.1A TO92

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 25V PNP

Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MPS6523G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -25 V, 625 mW, -100 mA, 600 hFE

MPS6523G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -25.0 V

额定电流 100 mA

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 300 @2mA, 10V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 600

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号： MPS6523G

描述：放大器晶体管 Amplifier Transistors

替代型号MPS6523G