MPS6652RLRA概述
放大器晶体管 Amplifier Transistors
Bipolar BJT Transistor PNP 40V 1A 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 40V 1A TO92
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 1A 30V PNP
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-92 T/R
MPS6652RLRA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
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