一瓦达林顿晶体管NPN硅 One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 50V 1A 100MHz 1W Through Hole TO-92 TO-226
得捷:
TRANS NPN DARL 50V 1A TO92
贸泽:
达林顿晶体管 1A 50V NPN
Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 50V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
额定电压DC 50.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 25000 @200mA, 5V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 7.87 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPSW45AZL1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPSW45ARLRAG 安森美 | 完全替代 | MPSW45AZL1和MPSW45ARLRAG的区别 |
MPSW45ARLRA 安森美 | 完全替代 | MPSW45AZL1和MPSW45ARLRA的区别 |
MPSW45AG 安森美 | 类似代替 | MPSW45AZL1和MPSW45AG的区别 |