MSB92T1

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MSB92T1概述

PNP硅通用高电压晶体管这PNP硅平面晶体管是专为通用放大器应用。特点这些器件是无铅

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −300V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor This PNP Silicon Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. Features These Devices are Pb Free 描述与应用| PNP硅通用高电压 这PNP硅平面晶体管是专为通用放大器应用。 特点 这些器件是无铅

MSB92T1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -300 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 25 @30mA, 10V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MSB92T1
型号: MSB92T1
描述:PNP硅通用高电压晶体管这PNP硅平面晶体管是专为通用放大器应用。特点这些器件是无铅
替代型号MSB92T1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MSB92T1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MSB92T1G

安森美

完全替代

MSB92T1和MSB92T1G的区别

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