PNP通用放大器晶体管表面贴装 PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~240 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −600mV/-0.6V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| PNP silicon general purpose amplifier Transistor 描述与应用| PNP硅通用放大器
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 120 @150mA, 10V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.09 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MSB710-RT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA55LT1G 安森美 | 功能相似 | MSB710-RT1和MMBTA55LT1G的区别 |
MMBTA55-TP 美微科 | 功能相似 | MSB710-RT1和MMBTA55-TP的区别 |
BC808-16 Diotec Semiconductor | 功能相似 | MSB710-RT1和BC808-16的区别 |