MJD200T5G

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MJD200T5G概述

TRANS NPN 25V 5A DPAK

Bipolar BJT Transistor NPN 25V 5A 65MHz 1.4W Surface Mount DPAK


得捷:
TRANS NPN 25V 5A DPAK


艾睿:
TRANS PWR NPN 5A 25V DPAK


MJD200T5G中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 25 V

最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V

额定功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MJD200T5G
型号: MJD200T5G
描述:TRANS NPN 25V 5A DPAK
替代型号MJD200T5G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD200T5G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MJD200T4G

安森美

完全替代

MJD200T5G和MJD200T4G的区别

MJD200G

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完全替代

MJD200T5G和MJD200G的区别

KSH200TF

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