偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 230 mW 表面贴装型 SC-59
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 230 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 35
额定功率Max 230 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.09 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MUN2111T3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN2111T1 安森美 | 完全替代 | MUN2111T3G和MUN2111T1的区别 |
MUN2111T3 安森美 | 完全替代 | MUN2111T3G和MUN2111T3的区别 |
MUN2111T1G 安森美 | 类似代替 | MUN2111T3G和MUN2111T1G的区别 |