MMUN2241LT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMUN2241LT1概述

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

MMUN2241LT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

额定功率Max 246 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMUN2241LT1

型号： MMUN2241LT1

描述：偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

替代型号MMUN2241LT1

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MMUN2241LT1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

MMUN2241LT1G

安森美

类似代替

DDTC115TCA-7-F

美台

功能相似